Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
Akademik Veri Yönetim Sistemi
Araştırmacı Girişi
English
Tümü
Projeler
Ödüller
Tezler
Fikri Mülkiyet
Araştırmacılar
Yayınlar
Detaylı Arama
Ana Sayfa
Son Eklenen Yayınlar
Some Physical Properties a Ge Doped GaAs...
Some Physical Properties a Ge Doped GaAs Thin Film Grown by Thermionic Vacuum Arc
Atıf İçin Kopyala
ŞENAY V.
,
SONER Ö.
,
PAT S.
,
KORKMAZ Ş.
NANO TR 11, Türkiye, 22 - 25 Haziran 2015
Yayın Türü:
Bildiri
Basıldığı Ülke:
Türkiye
Eskişehir Osmangazi Üniversitesi Adresli:
Evet