Kuantum Nokta Ara Bant Oluşumlu Güneş Hücresinin Büyütülmesi, Fabrikasyonu ve Karakterizasyonu


Creative Commons License

Serincan U., Kuru H. , Kulakcı M.

Politeknik Dergisi, cilt.20, sa.3, ss.565-569, 2017 (Diğer Kurumların Hakemli Dergileri)

  • Yayın Türü: Makale / Tam Makale
  • Cilt numarası: 20 Konu: 3
  • Basım Tarihi: 2017
  • Doi Numarası: 10.2339/politeknik.339365
  • Dergi Adı: Politeknik Dergisi
  • Sayfa Sayıları: ss.565-569

Özet

Katmanlar arasında sıkıştırılmış kendinden oluşumlu InAs kuantum noktalar n- üzeri p-GaAs tek eklem güneş pilinin taban kısmına yakın bir bölgesinde sentezlenmiştir. Güneş pili yapısı p-tipi GaAs alttaş üzerine epi-katman olarak moleküler demet epitaksi yöntemiyle büyütülmüştür. Kuantum nokta içeren katmanlar, 15 tekrar olarak 25 nm kalınlığındaki GaAs örtü-katmanları arasına 2,7 tek-katman (ML) InAs büyütülerek oluşturulmuştur. 490 oC’de büyütülen InAs/GaAs ara-bant katmanlar dışında güneş pili yapısı 580 oC’de büyütülmüştür. Karşılaştırma yapabilmek adına ayrıca InAs kuantum nokta içermeyen bir referans örneği de büyütülmüştür. Büyütülen güneş pili yapıları aygıt haline getirilmiş ve opto-elektronik verimliliklerinin belirlenebilmesi için AM 1.5G güneş spektrumu altında ölçümler yapılmıştır. InAs kuantum noktaların pilin optik performansının üzerindeki etkisinin incelenebilmesi için sonuçları destekleyici nitelikte fotolüminesans ölçümleri de gerçekleştirilmiştir. Akım-gerilim ölçümlerinden elde edilen güneş pili parametreleri gösterdi ki kuantum noktalı ara-bant güneş pili referans örneğine göre daha verimlidir. Her iki güneş pili yapısının şant direnci aynı çıkmıştır ki bu da verimlilik farkının aygıt üretim sürecinden çok aygıtın içsel özelliklerinden kaynaklığındığını göstermektedir.