Atıf İçin Kopyala
Serincan U., Kuru H., Kulakcı M.
Politeknik Dergisi, cilt.20, sa.3, ss.565-569, 2017 (Hakemli Dergi)
-
Yayın Türü:
Makale / Tam Makale
-
Cilt numarası:
20
Sayı:
3
-
Basım Tarihi:
2017
-
Doi Numarası:
10.2339/politeknik.339365
-
Dergi Adı:
Politeknik Dergisi
-
Derginin Tarandığı İndeksler:
TR DİZİN (ULAKBİM)
-
Sayfa Sayıları:
ss.565-569
-
Eskişehir Osmangazi Üniversitesi Adresli:
Evet
Özet
Katmanlar arasında
sıkıştırılmış kendinden oluşumlu InAs kuantum noktalar n- üzeri p-GaAs tek
eklem güneş pilinin taban kısmına yakın bir bölgesinde sentezlenmiştir. Güneş
pili yapısı p-tipi GaAs alttaş üzerine epi-katman olarak moleküler demet
epitaksi yöntemiyle büyütülmüştür. Kuantum nokta içeren katmanlar, 15 tekrar
olarak 25 nm kalınlığındaki GaAs örtü-katmanları arasına 2,7 tek-katman (ML)
InAs büyütülerek oluşturulmuştur. 490 oC’de büyütülen InAs/GaAs
ara-bant katmanlar dışında güneş pili yapısı 580 oC’de
büyütülmüştür. Karşılaştırma yapabilmek adına ayrıca InAs kuantum nokta
içermeyen bir referans örneği de büyütülmüştür. Büyütülen güneş pili yapıları
aygıt haline getirilmiş ve opto-elektronik verimliliklerinin belirlenebilmesi
için AM 1.5G güneş spektrumu altında ölçümler yapılmıştır. InAs kuantum
noktaların pilin optik performansının üzerindeki etkisinin incelenebilmesi için
sonuçları destekleyici nitelikte fotolüminesans ölçümleri de gerçekleştirilmiştir.
Akım-gerilim ölçümlerinden elde edilen güneş pili parametreleri gösterdi ki
kuantum noktalı ara-bant güneş pili referans örneğine göre daha verimlidir. Her
iki güneş pili yapısının şant direnci aynı çıkmıştır ki bu da verimlilik
farkının aygıt üretim sürecinden çok aygıtın içsel özelliklerinden
kaynaklığındığını göstermektedir.