Some Physical Properties a Ge Doped GaAs Thin Film Grown by Thermionic Vacuum Arc


ŞENAY V., SONER Ö., PAT S., KORKMAZ Ş.

NANO TR 11, Türkiye, 22 - 25 Haziran 2015

  • Yayın Türü: Bildiri
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Eskişehir Osmangazi Üniversitesi Adresli: Evet