Ir katkılı ZnO filmlerinin üretilmesi ve bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2011
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: MÜGE SÖYLEYİCİ
Danışman: FERHUNDE ATAY
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:Günümüzde sürekli gelişen ve yenilikler arayan opto-elektronik teknolojisinde saydam iletken oksit malzemelere ihtiyaç duyulmaktadır. Bu çalışmada n-tipi saydam iletken grubuna ait olan ZnO filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile farklı Ir katkı oranlarında (%4, %8, %12) elde edilmiştir. Üretilen filmlerin yapısal, optiksel, yüzeysel ve elektriksel özellikleri incelenerek, Ir katkı elementinin etkisi araştırılmıştır. ZnO:Ir filmlerinin spektroskopik elipsometre ile kalınlıkları ve bazı optik parametreleri (sönüm katsayısı ve kırılma indisi) belirlenmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden, tüm filmlerin polikristal yapıda oluştuğu ve %12 Ir katkı oranının yapısal özellikleri iyileştirmek açısından en iyi katkı oranı olduğu belirlenmiştir. ZnO:Ir filmlerinin optik özellikleri incelenmiş ve 3.19-3.22 eV arasında yasak enerji araklıklarına sahip oldukları saptanmıştır. Atomik Kuvvet Mikroskobu ile filmlerin üç boyutlu yüzey topografileri ve yüzey pürüzlülükleri incelenmiştir. Alan Emisyon Taramalı Elektron Mikroskobu ile filmlerin yüzey özellikleri incelenmiş ve Enerji Dağılımlı X-ışınları Spektrometresi ile elemental analizleri yapılmıştır. Filmlerin iletim mekanizmalarını ve özdirenç değerlerini belirlemek amacıyla iki uç metodu kullanılmıştır. Tüm sonuçlar opto-elektronik endüstrisi ve fotovoltaik güneş pili uygulamaları açısından değerlendirilmiş ve Ir katkısının her bir fiziksel özellik üzerinde önemli bir etki yarattığı belirlenmiştir.Anahtar Kelimeler: ZnO:Ir, Ultrasonik Kimyasal Püskürtme Tekniği, Spektroskopik Elipsometre, X-Işını Kırınımı, Optik Özellikler, Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM), Alan Emisyon Taramalı Elektron Mikroskobu (FESEM), Elektriksel Özellikler.