Opto-elektronik uygulamalarda kullanılabilecek katkısız ve Mg katkılı ZnO filmlerin üretilmesi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2014
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: SERHAT ALDAĞ
Danışman: Sema Kurtaran
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:Son yıllarda, opto-elektronik teknolojisi yeni ve alternatif malzemelere gereksinim duyan bir bilimsel çalışma alanı olarak kendini göstermektedir. Bu alanda yapılan birçok bilimsel çalışma saydam iletken oksit ailesi üzerinde yoğunlaşmıştır. Bu çalışmada, saydam iletken oksit ailesinin önemli bir üyesi olan ZnO filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile 350±5 ºC taban sıcaklığında ve farklı Mg elementi konsantrasyonları ile üretilmiştir. ZnO filmlerinin yapısal, optik, yüzeysel, elektriksel ve lüminesans özellikleri üzerine Mg elementinin etkisi araştırılmıştır. ZnO:Mg filmlerinin X-ışını kırınım desenlerinden, tüm filmlerin polikristal yapıda olduğu ve (002) yönünde tercihli büyüme gösterdiği belirlenmiştir. Spektroskopik elipsometre cihazı yardımıyla filmlerin kalınlıkları ve optik sabitleri belirlenmiştir. Elde edilen filmlerin optik özellikleri incelenerek direkt bant geçişli malzemeler oldukları tespit edilmiş ve optik metot yardımı ile optik bant aralıkları 3.27~3.40 eV olarak belirlenmiştir. Atomik Kuvvet Mikroskobu ile filmlerin üç boyutlu yüzey özellikleri incelenmiştir. Floresans Spektrometre cihazı ile ZnO:Mg filmlerinin fotolüminesans özellikleri incelenmiştir. Dört uç tekniği yardımıyla filmlerin elektriksel özdirenç değerleri belirlenmiş ve Mg katkısı ile bu değerlerin azaldığı görülmüştür. Mg katkılama işleminin, ZnO filmlerinin özelliklerini opto-elektronik ve fotovoltaik güneş pili uygulamaları açısından önemli derecede etkilediği sonucuna varılmıştır.