Yarı iletken güç elemanlarının bilgisayar benzeşimi


Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ, Elektrik-Elektronik Mühendisliği, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2007

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: MEHMET SERHAT KESERLİOĞLU

Danışman: Hasan Hüseyin Erkaya

Özet:

YARIİLETKEN GÜÇ ELEMANLARININ BİLGİSAYAR SİMÜLASYONUM. Serhat KESERLİOĞLUÖZETBu çalışmada yarıiletken güç elemanlarının bilgisayar simülasyonu ele alındı.Simülasyon için Sonlu Farklar Yöntemi kullanıldı. İki-boyutlu sayısal simülasyonsonuçları olarak taşıyıcı yoğunlukları, potansiyel değişim ve elektrik alan gibi fizikselbüyüklüklere ait iki-boyutlu grafikler ve elemanı tanımlayan akım-gerilimkarakteristikleri elde edildi. Simülasyon programından yararlanılarak bir yarıiletken güçelemanı olan IGBT için karma bir model geliştirildi. Model IGBT'nin ?MOSFET + PiNDiyot? eşdeğer devre modeline dayanmaktadır ve PiN yapının simülasyonu ileMOSFET için ideal büyük işaret eşdeğerinin kullanılmasını birleştirmektedir. Karmamodelin uygulaması olarak IGBT'nin doğru akım ve gerilim karakteristikleri elde edildi.