Termiyonik Vakum Ark (TVA) ile depolanan katkısız ve P2O5, CdO ve ZnO katkılı V2O5 ince filmlerin bazı özelliklerinin incelenmesi


Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2024

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: ÇAĞRI DURMUŞ

Danışman: Tamer Akan

Özet:

Katkısız ve P2O5, CdO ve ZnO katkılı V2Oince filmler Termiyonik Vakum Ark (TVA) plazma yöntemiyle depolanmış ve X-ışını kırınımı (XRD), X-ışını fotoelektron spektroskopisi (XPS), Raman spektroskopisiFourier dönüşümlü kızılötesi spektroskopisi (FTIR), taramalı elektron mikroskobu (SEM), enerji dağılımlı x-ışınları spektrometresi (EDS), atomik kuvvet mikroskobu (AFM), Ultraviyole-görünür spektroskopi (UV-Vis), ve Kirby-Bauer testi ile yapısal, yüzeysel, optik ve antibakteriyel analizleri yapılarak incelenmiştir. Üretilen plazmalar da optik emisyon spektrometresi (OES) ile incelenmiştir.

Katkısız V2Oince filmlerin amorf olduğu, kalınlıklarının 92-204 nm, yüzey pürüzlülüğünün 0,4-1,8 nm ve optik bant aralığının 3,20-3,84 eV olduğu görülmüştür. Mikroskop camı ve yüksek yoğunluklu polietilen (YYPE) üzerinde depolanan V2O5-P2Oince filmlerinin cam formu gibi amorf ve pürüzlülüğünün 0,3-0,9 nm olduğu görülmüştür. CdO katkılı V2O5-P2Osentezlenerek cam haline getirilmiş ve ince filmlerinin sentezlenen cam ile benzer amorf yapı vermesine rağmen Raman sonuçlarına göre farklı yapısal özelliklere sahip olduğu görülmüştür. Katkısız Cd ince filmlerinin yapısal ve yüzeysel özellikleri incelenmiş, E. coli ve L. innocua bakterilerine karşı antibakteriyel özellikte olduğu ispatlanmıştır ve CdO ince filmlerinin ise polikristal yapıda ve kristalit boyutlarının 6,89-14,10 nm olduğu görülmüştür. V2O5’e Zn farklı oranlarda katkılanarak depolanan ince filmlerin görünür bölgede geçirgen olmasına karşı ayrı potalarda katmanlı ince film olarak üretilen V2O5-Zn ince filmlerinin görünür bölgede geçirgen olmadığı ve S. aureusbakterisine karşı katkılı V2O5-Zn ince filmlerine göre daha fazla antibakteriyel etki gösterdiği görülmüştür. TVA sistemindaynı anda farklı potalara V2Ove ZnO koyularak katmanlı ince film üretimi gerçekleştirilmiştir. Molce %50-50 oranında karıştırılan V2O5ZnO ince filminde yasak enerji aralığı 3,63 eV olarak hesaplanırken, V2Oüzerine ZnO depolanan ince filmlerde 2,40 eV ve 3,48 eV olmak üzere iki bant, ZnO üzerine V2Odepolanan ince filmlerde ise 2,48 eV ve 3,15 eV olmak üzere iki bant gözlemlenmiştir.

Anahtar Kelimeler: Termiyonik vakum ark, Vanadyum pentoksit, Fosfor pentoksit, Kadmiyum oksit, Çinko oksit, ince film