CdO: F filmlerinin üretimi ve karakterizasyonu

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2010

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: ELİF KETENCİ

Danışman: FERHUNDE ATAY

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu çalışmada II-VI grup ikili bileşiklerinden olan CdO yarıiletken filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile 300 ±5°C taban sıcaklığında üretilmiştir ve CdO yarıiletken filmlerinin fiziksel özelliklerine Flor elementi katkısının (%1, %2, %3, %4, %5) etkisi araştırılmıştır. CdO:F filmlerinin spektroskopik elipsometri ölçümlerinden kalınlıkları belirlenmiş ve bazı optik parametreleri (sönüm katsayısı ve kırılma indisi) saptanmıştır. Elde edilen filmlerin X-ışını kırınım desenleri incelendiğinde tüm filmlerin polikristal yapıda oluştuğu ve %1 F katkı oranının yapısal özellikleri iyileştirmek açısından en iyi katkı oranı olduğu sonucuna ulaşılmıştır. CdO:F yarıiletken filmlerinin optik özellikleri incelenmiş, direkt bant geçişine sahip oldukları saptanmış ve ayrıca 2.40eV-2.56eV arasında yasak enerji araklıklarına sahip oldukları belirlenmiştir. Atomik Kuvvet Mikroskobu (AKM) ile filmlerin üç boyutlu yüzey topografileri ve faz görüntüleri alınmıştır. Bu görüntülerden taneli yapılanmanın varlığı dikkati çekmiştir. Filmlerin elektriksel iletkenlik ve özdirenç değerlerini belirlemek amacıyla iki uç metodu kullanılmıştır. Bunun sonucunda %1 oranında F katkısının en yüksek iletkenlik değerini verdiği gözlenmiştir. Tüm sonuçlar opto elektronik endüstrisi ve fotovoltaik güneş pili uygulamaları açısından değerlendirilmiş ve F katkısının her bir fiziksel özellik üzerinde önemli bir etki yarattığı belirlenmiştir.