CuO:Zn filmlerinin ultrasonik püskürtmr tekniği ile ve bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2006

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: MELEK ENGİN

Danışman: FERHUNDE ATAY

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Günümüzde sürekli gelişen ve yenilikler arayan opto-elektronik teknolojisindesaydam iletken oksit malzemelere ihtiyaç duyulmaktadır. p-tipi saydam iletkenoksitlerden biri olan bakır oksit filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile250±5ºC taban sıcaklığında ve farklı Zn katkı oranlarında elde edilmiştir. Üretilenfilmlerin elektrik, optik ve yapısal özellikleri incelenmiştir. Bakır oksit filmlerininkalınlıklarının 0.48-0.36 µm arasında değiştiği ve bakır oksit içersine katkılanan Znkatkı oranı artıkça kalınlıklarının azaldığı belirlenmiştir. XRD desenlerinden tümfilmlerin polikristal yapıda oldukları ve %3 Zn katkılı bakır oksit filmlerininkristalleşme düzeylerinin diğer filmlere göre iyileştiği belirlenmiştir. Tüm filmleringeçirgenlik, yansıma ve soğurma gibi optik özellikleri incelenmiş ve optik metot ileyasak enerji aralıklarının 1.923-2.641 eV arasında değiştiği gözlenmiştir. Odasıcaklığında alınan I-V ölçümleri ile tüm filmlerin elektriksel iletim mekanizmalarıincelenmiş ve bazı filmlerin ohmik bazı filmlerin ise sığ ve derin tuzaklı yapıya sahipoldukları tespit edilmiştir. Ayrıca karanlık ve aydınlık şartlar altında tüm filmlerin iki uçtekniği ile elektriksel iletkenlikleri hesaplanmıştır.