Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ, Katıhal Fiziği Bilim Dalı, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2024
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: TUNA ÖZKAR
Danışman: Mustafa Akarsu
Özet:
Yarı iletkenlerde elektron taşınımına son yıllardaki araştırmalarda dikkate değer
şekilde ilgi duyulmaktadır. Uygulanan elektrik alanın elektron sürüklenme hızına olan
bağımlılığı bu tip araştırmalarda ana amaç haline gelmiştir.
Direkt geçişli yarı iletkenlerin önemli karakteristiklerinden biri, sürüklenme hızının
elektrik alan artarken, maksimumunun yüksek değerler almasıdır. İndirekt geçişli
malzemeler de ise sürüklenme hızının maksimumunun daha düşük değerler alması
beklenebilir.
Galyum Arsenit yarı iletken bileşiğinin direkt geçişli bir yarı iletken olduğu
bilinmektedir. Galyum Arsenit içerisine alüminyum ilave edilerek yeni bir yarıiletken bileşik
olan alüminyum galyum arsenit elde edilmektedir. Alüminyum galyum arsenit düşük
oranlarda alüminyum içeriyorsa direkt geçişli bir malzemedir. Ancak alüminyum galyum
arsenit bileşiğinin içerisindeki alüminyum miktarı arttıkça malzeme indirekt geçişli hale
gelmektedir. Bundan dolayı, bu tez çalışmasında alüminyum galyum arsenit malzemesindeki
alüminyum oranı arttırıldıkça sürüklenme hızının elektrik alan ile nasıl değiştiği ve bu
değişim esnasında, hangi tip saçılmaların rol aldığı ve bu saçılmaların sürüklenme hızı
elektrik alan grafiğine olan etkisi 77K, 300K ve 450K sıcaklıkları için incelenmiştir.