RF saçtırma yötemiyle üretilen alüminyum nitrit (AIN) ince filmlerin bazı fiziksel özellikleri

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2010

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: MEHMET KOKKOKOĞLU

Danışman: SUAT PAT

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Alüminyum nitrit (AlN) ilk 1877 yılında bulunmuş fakat 1980'li yıllara kadar yüksek termal iletkenlik özelliği sayesinde mikroelektronik uygulamalarda kullanılabileceği anlaşılamamıştır. AlN en çok kovalent bağ yapabilen maddelerdendir ve hexagonel kristal yapıya sahiptir. En çok optoelektronikte, yüksek termal iletkenlik gerektiren çiplerin yapımında, askeri uygulamalarda ve piezoelektrik özelliğinden dolayı silikon alt taşların üzerine kaplanarak yüzey akustik dalga sensörlerinin yapımında kullanılır.Bu çalışmada üretilen AlN ince filmler RF saçtırma yöntemi kullanılarak elde edilmiştir. Bu yöntemde hedef materyal olarak alüminyum kullanılmıştır. Çalışma gazı olarak ise argon ve azot gaz karışımı farklı yüzdelerde kullanılmıştır. Bu plazma ortamında alüminyum hedef malzemeden sökülen Al atomları, N2 atomları ile reaksiyona girerek alt taş üzerine AlN ince filmleri oluşturulmuştur.Farklı konsantrasyonlardaki gaz karışımlarına göre üretilen AlN ince filmlerin kalınlığı, absorbansı, geçirgenliği, sönüm katsayısı, kırılma indisi, yasak enerji aralığı, yüzey pürüzlülüğü ve yüzey görüntüsü incelenmiştir.Elde edilen sonuçlar incelendiğinde kullanılan gaz karışımı plazması içerisindeki Ar ve N2 gazı konsantrasyonuna bağlı olarak AlN ince filmlerin yapılarının değiştiği gözlenmiştir.